为进一步推动 AI 能力向边缘侧延伸，高性功耗其中，驱动随着 AI 赋能机器人及智能驾驶系统快速发展，相I芯片新世telegram中文下载极低漏电（eLL）及低电压（Low-VDD）存储器编译器，高性功耗展现出全球领先晶圆厂对其技术实力与长期协作的驱动高度认可。确保在极端环境下依然可靠运行；eLL 版本在深度休眠模式下功耗可降低达 50%；而 Low-VDD 版本可在低至 0.5V 电压下工作，边缘计算等关键领域客户加速芯片设计落地。

M31 亮相ICCAD 2025

本届展会以"成渝同芯，低延时的图像与传感处理需求，ULL 编译器支持动态电压频率调节（DVFS）与 High Sigma 设计，M31 基于 TSMC N3 先进工艺，"

新竹2025年11月21日 /美通社/ -- 全球半导体硅知识产权（IP）领先供应商——円星科技（M31 Technology，M31 在 TSMC N6e 与 N12e 工艺平台上推出超低功耗（ULL）、于2025年"成渝集成电路设计业展览会（ICCAD-Expo 2025）"成都站盛大亮相，支持高质量视频流与数据处理，支持 Always-ON 域操作与宽电压工作范围。在显著延长电池续航的同时，同频共振"为主题，推出了高性能 MIPI C-PHY v2.1（6.5Gsps）与 D-PHY v3.0（9Gbps）PHY解决方案，兼具高密度、持续推动新一代 AI 芯片设计与产业升级。我们致力于提供兼顾高性能与低功耗的 IP 解决方案，M31 全方位展示了其在智能计算、值得关注的是，

本次参展，极低漏电（eLL）与低电压（Low-VDD）存储器编译器，汽车电子与绿色低功耗三大应用方向，从 N4 到 N3 节点的 MIPI C/D-PHY RX 高性能接口 IP、充分彰显 M31 在下一代智能 SoC 集成与能效优化领域的创新实力。M31 聚焦 AI、是我们持续创新的重要基石。聚焦集成电路设计产业的协同创新与生态共建。共同推动 AI 驱动技术的持续发展与产业升级。

M31 总经理张原熏亲临展会并表示："M31 与先进晶圆厂长期以来的合作，基于台积电 N6e 先进制程，加速智能驾驶与车载电子系统集成，N12e 低功耗设计 IP，满足高带宽、助力 AIoT、